Mi sono arrivati un po’ di questi transistor al GaN.
Sono di un costruttore cinese, costano meno di un euro ed hanno delle caratteristiche interessanti.
Non nascono per l’impiego RF però… Sono velocissimi (t_on < 2ns), hanno una capacità di Gate bassa (80 pF) e supportano tensioni altissime (Vds 650 V). Data la costruzione non hanno “body diode” e non vi sono ritardi nella chiusura di questo.
Al momento degli OM russi e indiani, in modo separato, lo stanno testando per impiego RF.
I primi risultati sono interessanti. Un transistor in configurazione single-ended è stato testato proprio oggi da VU3CER Dhiru (suo un articolo uscito su QEX questo mese) montandolo proprio sulla board che presenta in QEX (un amplificatore non lineare per WSPR).
13 V di Alimentazione a 28 Mhz 8 Watt out;
13 V di Alimentazione a 50 Mhz 6 Watt out;
20 V di Alimentazione a 50 Mhz 12 Watt out.
Dhiru non è andato oltre i 50 Mhz perchè questo è il limite del suo driver.
Non è un sostituto diretto di altri transistor “prestati” alle RF (IRF510 ecc) dato che non può essere pilotato con più di 7 Volt, però le caratteristiche ed il costo sono interessanti.
Con i miei tempi proverò a fare un piccolo amplificatore push - pull…
Datasheet (5,1 MB)